An analytical compact model for Schottky-barrier double gate MOSFETs

  1. Balaguer, M.
  2. Iñiguez, B.
  3. Roldán, J.B.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Any de publicació: 2011

Volum: 64

Número: 1

Pàgines: 78-84

Tipus: Article

DOI: 10.1016/J.SSE.2011.06.045 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus