Analysis of set and reset mechanisms in Ni/HfO2-based RRAM with fast ramped voltages

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Revista:
Microelectronic Engineering

ISSN: 0167-9317

Año de publicación: 2015

Volumen: 147

Páginas: 176-179

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MEE.2015.04.057 GOOGLE SCHOLAR
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