Electron-hole transport asymmetry in boron-doped graphene field effect transistors

  1. Marconcini, P.
  2. Cresti, A.
  3. Triozon, F.
  4. Fiori, G.
  5. Biel, B.
  6. Niquet, Y.-M.
  7. MacUcci, M.
  8. Roche, S.
Actas:
2012 15th International Workshop on Computational Electronics, IWCE 2012

ISBN: 9781467307055

Año de publicación: 2012

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/IWCE.2012.6242844 GOOGLE SCHOLAR
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