Atomistic boron-doped graphene field-effect transistors: A route toward unipolar characteristics

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Revista:
ACS Nano

ISSN: 1936-0851,  1936-086X

Año de publicación: 2012

Volumen: 6

Número: 9

Páginas: 7942-7947

Tipo: Artículo

DOI: 10.1021/NN3024046 GOOGLE SCHOLAR
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