Physical insights on transistors based on lateral heterostructures of monolayer and multilayer PtSe2 via Ab initio modelling of interfaces

  1. Calogero, G.
  2. Marian, D.
  3. Marin, E.G.
  4. Fiori, G.
  5. Iannaccone, G.
Revista:
Scientific Reports

ISSN: 2045-2322

Año de publicación: 2021

Volumen: 11

Número: 1

Tipo: Artículo

DOI: 10.1038/S41598-021-98080-Y GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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