Stable Al2O3 Encapsulation of MoS2-FETs Enabled by CVD Grown h-BN
- Piacentini, A.
- Marian, D.
- Schneider, D.S.
- González Marín, E.
- Wang, Z.
- Otto, M.
- Canto, B.
- Radenovic, A.
- Kis, A.
- Fiori, G.
- Lemme, M.C.
- Neumaier, D.
Revista:
Advanced Electronic Materials
ISSN: 2199-160X
Any de publicació: 2022
Volum: 8
Número: 9
Tipus: Article