Study of TiN/Ti/HfO2/W resistive switching devices: characterization and modeling of the set and reset transitions using an external capacitor discharge

  1. García, H.
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  9. Dueñas, S.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 2022

Volumen: 194

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.SSE.2022.108385 GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor
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