Modelo de parametros distribuidos para dispositivos mesfet de microondas y milimetricas

Resumen

En esta tesis se propone un modelo de pequeña señal de parametros distribuidos para dispositivos de efecto de campo (dispositivos fet) que considera los efectos de la propagacion transversal. El analisis del modelo distribuido ha permitido explicar las deficiencias de los circuitos equivalentes clasicos de parametros concentrados, cuando son utilizados para simular y/o extrapolar las caracteristicas de los dispositivos a frecuencias en las que los efectos distribuidos son apreciables. Como ejemplo de aplicacion, se ha realizado la simulacion de un mesfet comercial de media potencia, caracterizado en la banda de 1 a 26 ghz para 127 puntos de trabajo, empleando para ello el modelo propuesto, demostrandose la importancia de los fenomenos distribuidos en este caso.