Caracterizacion del transporte electronico en sio2 por metodo de monte carlo

Abstract

El objetivo del trabajo es la caracterizacion del transporte de electrones en el oxido de silicio de capacidades mos sometidas a campos electricos del orden de los 10 mv/cm y constantes temporal y espacialmente. A tal efecto, se ha desarrollado un programa de simulacion basado en el metodo de monte carlo. El trabajo se divide en seis capitulos: en el primero se exponen las propiedades fisicas del sistema en el que se efectua el transporte. En el segundo, se describen los modulos de la implementacion informatica llevada a cabo. En el capitulo tercero se estudia la cinematica del transporte electronico. En el capitulo cuarto se obtiene la funcion de distribucion del momento y de la energia del sistema de electrones. En el capitulo cinco se estudia la dinamica del electron, a fin de caracterizar su dispersion espacial y relacionarla con el area de ruptura de un oxido roto dielectricamente. Finalmente, en el capitulo seis, se caracteriza la disipacion de energia en el volumen del oxido y se interpreta fenomenologicamente la relacion tiempo de ruptura-espesor de oxido.