Model de degradacio per a la ruptura dielectrica del sio2
- FARRES BERENGUER, ESTEVE
- Xavier Aymerich Humet Director/a
Universidad de defensa: Universitat Autònoma de Barcelona
Fecha de defensa: 22 de abril de 1993
- Francisco Serra Mestres Presidente/a
- Francesca Campabadal Segura Secretario/a
- Juan Enrique Carceller Beltrán Vocal
- José Millán Gómez Vocal
- Josep Samitier Martí Vocal
Tipo: Tesis
Resumen
El treball presentat es centre en l'estudi de la ruptura dielèctrica de l'òxid de Silici, més concretament en la determinació de l'estadística de ruptura que presenten mostres MOS d'òxid prim. La principal contribució del treball és la formulació i el desenvolupament d'un model per a la ruptura dielèctrica de l'òxid de silici. S'ha de destacar també l'extens treball experimental realitzat en la comprovació dels comportaments que caldria esperar del compliment del model. L'innovació més important del model presentat consisteix en l'establiment d'una relació entre l'energia dissipada en la mostra, la generació de defectes a l'òxid i la ruptura dielèctrica de la mostra.