Underlap counterdoping as an efficient means to suppress lateral leakage in the electron-hole bilayer tunnel FET

  1. Alper, C.
  2. Palestri, P.
  3. Padilla, J.L.
  4. Ionescu, A.M.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Año de publicación: 2016

Volumen: 31

Número: 4

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/31/4/045001 GOOGLE SCHOLAR
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