Implantacion ionica de boro en arseniuro de galiointeraccion entre defectos y creacion artificial del nivel el2

Resumen

SE HA REALIZADO UN ESTUDIO SISTEMATICO DE LOS DEFECTOS CREADOS EN EL PROCESO DE IMPLANTACION IONICA DE BORO EN GAAS TIPO N CRECIDO POR EL METODO DE BRIDMAN IMPLANTADO CON DOSIS ENTRE 10 ELEVADO A 10 Y 10 ELEVADO A 14 CM-2 Y RECOCIDO A DIFERENTES TEMPERATURAS ENTRE 300 Y 800 GRADOS C. LA APLICACION DE UNA TECNICA BASADA EN EL ANALISIS DE LOS TRANSITORIOS ISOTERMICOS DE CAPACIDAD EN OBSCURIDAD Y BAJO CONDICIONES DE ILUMINACION (LAS TECNICAS ITS Y OITS) NOS HA PERMITIDO DEDUCIR LA CREACION ARTIFICIAL DEL NIVEL EL2 COMO CONSECUENCIA DEL PROCESO DE IMPLANTACION ASI COMO LA EXISTENCIA DE UNA INTERACCION ENTRE DEFECTOS QUE INVOLUCRA EL EL2 DE FORMA QUE LA EMISION DE LA CARGA TOTAL ATRAPADA EN EL NIVEL PUEDE OCURRIR A TRAVES DE DOS CAMINOS DIFERENTES DANDO LUGAR A LA BANDA U Y A LA SEÑAL ASOCIADA AL EL2. ADEMAS LA VARIACION DE CAPACIDAD TOTAL ES CONSTANTE PERO SU DISTRIBUCION ENTRE LA BANDA U Y EL NIVEL EL2 DEPENDE DE LA TEMPERATURA DE MEDIDA. ESTOS RESULTADOS CONFIRMAN LA EXISTENCIA DE UNA REORGANIZACION DE LOS DEFECTOS INVOLUCRADOS EN LA INTERACCION.TAMBIEN HEMOS DETECTADO LA PRESENCIA DE DOS NIVELES MAS QUE A PARTIR DE LAS DEPENDENCIAS OBSERVADAS DE SUS COEFICIENTES DE EMISION CON EL CAMPO ELECTRICO Y DE LOS DATOS OPTICOS HEMOS IDENTIFICADO COMO LOS NIVELES EL6 Y EL5. OPTICAMENTE SE HA COMPROBADO LA INTERACCION ENTRE ESTOS NIVELES Y EL EL2 DE MANERA QUE LA FOTOIONIZACION DEL EL6 Y DEL EL5 SE PRODUCE A TRAVES DEL EL2 PREVIAMENTE IONIZADO.