Caracterizacion y modelizacion de dispositivos vdmos de potencia

Resumen

En este trabajo se presenta una modelizacion de la resistencia en el estado on basada en una resistencia distribuida mediante elementos diferenciales de resistencia superficial y de conductancia voluminicos. Esto ha permitido encontrar una expresion analitica para el producto ron * s de dispositivos con diferentes diseños celulares. Se ha obtenido que todos los diseños celulares determinan el mismo producto ron * s y que son preferibles a los interdigitados.Asimismo se han mostrado las diferencias existentes con otras modelizaciones que no consideran el caracter bidimensional de la corriente y el efecto de un oxido de puerta a dos niveles. Por otro lado se han estudiado las caracteristicas i(v) remarcando el efecto de la guasi-saturacion a partir de la naturaleza cilindrica de la union body-epitacia entre celdas; lo que ha permitido determinar el punto de guasi-saturacion. La consideracion de la resistencia de acceso permite mostrar el efecto de un oxido de puerta a dos niveles sobre las caracteristicas de salidad para dispositivos con diferente capacidad entension. Po ultimo se han llevado a cabo simulaciones bidimensionales de la celda basica del dispositivo en el estado de arte un objeto de mostrar el efecto de los parametros geometricos sobre la tension de ruptura. Dicho tension ha sido evaluada a partir de la integral de imitacion calculada a partir de las distribuciones de campo electrico y potencial a lo largo del camino de maximo gradiente de potencial pasando por el punto de campo maximo. El criterio de ruptura considerado ha sido que la integral de imitacion se haga igual a la unidad con los coeficientes de imitizacion de van overstraeta y deman obteniendose que dicha tension disminuye a medida que aumenta la separacion entre celdas vecinas y tambien la profundidad de union de body.