Estudio del fenomeno de la conmutacion en dispositivos metal-aislante-semiconductor-semiconductor (miss)
- MILLAN GOMEZ, JOSE
- Francisco Serra Mestres Director/a
Universidad de defensa: Universitat Autònoma de Barcelona
Año de defensa: 1981
- Francisco Serra Mestres Presidente/a
- Elías Muñoz Merino Secretario/a
- Pedro Cartujo Estebanez Vocal
- Juan Santiago Muñoz Domínguez Vocal
- Juan Buxo Santaolaria Vocal
Tipo: Tesis
Resumen
En este trabajo se formula un modelo fisico basado en la conduccion por tunel resonante del dispositivo metal-aislante-semiconductor-semiconductor (miss) que explica los resultados experimentales. Obtenemos expresiones analiticas de su caracteristica tension-corriente de la corriente y de la tension en el punto de conmutacion asi como de la impedancia del dispositivo en estado estacionario.