Interpretación de la captura de electrones por efecto multifonón en el nivel B del GaAs
- Morante, J. R.
- Carceller, J. E.
- Herms, A.
- Armelles, G.
- Barbolla, J.
- Cartujo, P.
Editorial: Grupo Especializado de Electricidad y magnetismo de la RSEF
Año de publicación: 1981
Título del volumen: Electrónica
Volumen: 2
Páginas: 82-92
Congreso: Grupo Especializado de Electricidad y Magnetismo de la RSEF. Reunión (3. 1981. Vigo)
Tipo: Aportación congreso
Resumen
A partir de la teoría de los procesos de captura no radiactiva por efecto multifonón dentro de una aproximación estática, hemos realizado un ajuste teórico de la dependencia en temperatura de la sección eficaz de electrones para el nivel B en el GaAs. El número de fonones emitidos y el factor de Huang-Rhys asociado utilizados en el ajuste son, respectivamente, p-25 y S=5,03 mostrándose dependientes de la determinación de los elementos de matriz envueltos en la transición. La utilización de la función de onda de un defecto cuántico para el estado ligado y un potencial polar de acoplamiento para el cálculo de estos elementos, ha permitido un buen ajuste en todo el rango de temperaturas, no observándose contribución alguna de los mecanismos de captura radiactiva o por efecto Auger en contraste con previos trabajos a los que no les es posible un completo ajuste en base tans solo de los procesos de captura por efecto multifonón.