Mobility of Circular and Elliptical Si Nanowire Transistors Using a Multi-Subband 1D Formalism

  1. Medina-Bailon, C.
  2. Sadi, T.
  3. Nedjalkov, M.
  4. Carrillo-Nunez, H.
  5. Lee, J.
  6. Badami, O.
  7. Georgiev, V.
  8. Selberherr, S.
  9. Asenov, A.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 1558-0563,  0741-3106

Any de publicació: 2019

Volum: 40

Número: 10

Pàgines: 1571-1574

Tipus: Article

DOI: 10.1109/LED.2019.2934349 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus