Simulation of the impact of ionized impurity scattering on the total mobility in si nanowire transistors

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Revista:
Materials

ISSN: 1996-1944

Año de publicación: 2019

Volumen: 12

Número: 1

Tipo: Artículo

DOI: 10.3390/MA12010124 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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