Improvement of AlGaN/GaN HEMTs Linearity Using Etched-Fin Gate Structure for Ka Band Applications

  1. Lee, M.-W.
  2. Lin, Y.-C.
  3. Hsu, H.-T.
  4. Gamiz, F.
  5. Chang, E.-Y.
Revista:
Micromachines

ISSN: 2072-666X

Año de publicación: 2023

Volumen: 14

Número: 5

Tipo: Artículo

DOI: 10.3390/MI14050931 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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