Simulations of 2-D Materials-Based Field Effect Transistors for Quantum Cascade Detectors

  1. Cannavò, E.
  2. Marian, D.
  3. Marin, E.G.
  4. Tredicucci, A.
  5. Fiori, G.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 1557-9646,  0018-9383

Any de publicació: 2024

Volum: 71

Número: 1

Pàgines: 630-636

Tipus: Article

DOI: 10.1109/TED.2023.3332073 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor
Font de les dades: Scopus