Low-cost soft-error hardened D-Latch in nano CMOS technology

  1. Hatefinasab, Seyedehsomayeh
Dirigida por:
  1. Noel Rodríguez Santiago Codirector
  2. Encarnación Castillo Morales Codirectora

Universidad de defensa: Universidad de Granada

Fecha de defensa: 19 de diciembre de 2023

Tipo: Tesis

Resumen

En un entorno hostil con una enorme radiación como la del espacio, la parte de memoria de los circuitos electrónicos, como los biestables D puede perder sus valores almacenados y volverse más vulnerable a eventos de alteración de múltiples nodos (multiple node upsets, MNU). Para abordar este problema, los chips integrados de un sistema aeroespacial deben diseñarse con un alto nivel de confiabilidad contra errores leves. Un fallo puede provocar el mal funcionamiento de los módulos o sistemas de un cohete, de una nave espacial o de un satélite en entornos hostiles, poniendo en riesgo estos equipos y vidas humanas. Además, es necesario reducir la tecnología para aumentar la potencia de procesamiento y la densidad de integración, pero al hacerlo, no nos podemos olvidar de seguir manteniendo la confiabilidad de los circuitos; en particular, en los nodos de biestables D a nanoescala se pueden producir errores de alteración de múltiples nodos cuando funcionan en entornos radiactivos hostiles. Por lo tanto, es necesario diseñar módulos de almacenamiento autorecuperables capaces de realizar cálculos altamente confiables en cualquier situación en el espacio exterior. Esta tesis aborda así el diseño de un biestable D tolerante a errores en un nodo, a errores en dos nodos y a errores en cuatro nodos, proponiendo así un nuevo biestable D robusto, de bajo coste, alta confiabilidad y autorrecuperabilidad usando para ello una estrategia de diseño adecuada.