Dispositivo FET reconfigurable con dopado dual

Resumen

La invención describe un dispositivo FET reconfigurable con dopado dual, que comprende: un cuerpo (B) de material semiconductor de tipo P o N; una fuente (S) y un drenador (D) de material semiconductor unidos a extremos del cuerpo (B) longitudinalmente opuestos; una capa inferior constituida por una capa de óxido (O) bajo la cual está unido al menos un plano de tierra (GP), o bien por un sustrato (SU) formado por un semiconductor intrínseco; y al menos una puerta de control (CG) y una puerta de polaridad (PG) unidas bien al cuerpo (B) o bien bajo la capa inferior de óxido (O). Además, tanto la fuente (S) como el drenador (D) están formados por una primera porción con dopado N⁺ y una segunda porción con dopado P⁺ ubicadas una junto a la otra, estando cada una de dichas primera y segunda.