Exploring resistive switching-based memristors in the charge–flux domain: A modeling approach

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  6. de Benito, C.
Zeitschrift:
International Journal of Circuit Theory and Applications

ISSN: 1097-007X,  0098-9886

Datum der Publikation: 2018

Ausgabe: 46

Nummer: 1

Seiten: 29-38

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1002/CTA.2397 GOOGLE SCHOLAR

Ziele für nachhaltige Entwicklung

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