Exploring resistive switching-based memristors in the charge–flux domain: A modeling approach

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Revue:
International Journal of Circuit Theory and Applications

ISSN: 1097-007X,  0098-9886

Année de publication: 2018

Volumen: 46

Número: 1

Pages: 29-38

Type: Communication dans un congrès

DOI: 10.1002/CTA.2397 GOOGLE SCHOLAR

Objectifs de Développement Durable

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