Estudio de las propiedades de transporte de electrones en laminas de inversion semiconductoras por el metodo de monte carlo

Resumen

En este trabajo se aborda el estudio teorico de las propiedades de transporte de gases de electrones quasi-bidimensionales contenidos en laminas de inversion tales como las existentes en estructuras mos: para ello, se realiza un estudio teorico de las propiedades electricas de electrones en laminas de inversion semiconductoras a partir de una formulacion cuantica del problema, se analiza detalladamente la cuantizacion del gas debido al confinamiento en pozos estrechos de potencial y se modelan teoricamente los diferentes mecanismos de dispersion. Una vez realizado el estudio y modelado de los electrones en laminas de inversion y de los diferentes mecanismos de dispersion se elaboran los programas de simulacion del comportamiento de electrones implementando el metodo de monte carlo. Se aplica la simulacion al estudio de la influencia de los diferentes parametros fisicos y tecnologicos sobre las propiedades de transporte.