Double gate silicon on insulator transistors. A Monte Carlo study

  1. Gámiz, F.
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Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 2004

Volumen: 48

Número: 6

Páginas: 937-945

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.SSE.2003.12.017 GOOGLE SCHOLAR
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