Hole confinement and energy subbands in a silicon inversion layer using the effective mass theory
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 1999
Volum: 86
Número: 1
Pàgines: 438-444
Tipus: Article
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 1999
Volum: 86
Número: 1
Pàgines: 438-444
Tipus: Article