Hole confinement and energy subbands in a silicon inversion layer using the effective mass theory
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 1999
Ausgabe: 86
Nummer: 1
Seiten: 438-444
Art: Artikel
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 1999
Ausgabe: 86
Nummer: 1
Seiten: 438-444
Art: Artikel