Computational study of the strained-Si MOSFET: A possible alternative for the next century electronics industry

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Carceller, J.E.
  5. Cartujo, P.
Revista:
Computer Physics Communications

ISSN: 0010-4655

Any de publicació: 1999

Volum: 121

Pàgines: 547-549

Tipus: Article

DOI: 10.1016/S0010-4655(99)00404-X GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus