Computational study of the strained-Si MOSFET: A possible alternative for the next century electronics industry

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Carceller, J.E.
  5. Cartujo, P.
Zeitschrift:
Computer Physics Communications

ISSN: 0010-4655

Datum der Publikation: 1999

Ausgabe: 121

Seiten: 547-549

Art: Artikel

DOI: 10.1016/S0010-4655(99)00404-X GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus