Monte carlo simulation of electron transport properties in extremely thin SOI MOSFET's

  1. Gâmiz, F.
  2. Lôpez-Villanueva, J.A.
  3. Roldân, J.B.
  4. Carceller, J.E.
  5. Cartujo, P.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Any de publicació: 1998

Volum: 45

Número: 5

Pàgines: 1122-1126

Tipus: Article

DOI: 10.1109/16.669557 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus