Monte carlo simulation of electron transport properties in extremely thin SOI MOSFET's

  1. Gâmiz, F.
  2. Lôpez-Villanueva, J.A.
  3. Roldân, J.B.
  4. Carceller, J.E.
  5. Cartujo, P.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 1998

Ausgabe: 45

Nummer: 5

Seiten: 1122-1126

Art: Artikel

DOI: 10.1109/16.669557 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus