Low temperature mobility improvement in high-mobility strained-Si/Si1-xGex multilayer MOSFETs

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Carceller, J.E.
Konferenzberichte:
Journal De Physique. IV : JP

ISSN: 1155-4339

Datum der Publikation: 1998

Ausgabe: 8

Nummer: 3

Art: Artikel

DOI: 10.1051/JP4:1998314 GOOGLE SCHOLAR

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