Monte Carlo simulation of a submicron MOSFET including inversion layer quantization

  1. Roldan, J.B.
  2. Gamiz, F.
  3. Lopez-Villanueva, J.A.
  4. Carceller, J.E.
Revista:
VLSI Design

ISSN: 1065-514X

Any de publicació: 1998

Volum: 6

Número: 1-4

Pàgines: 287-290

Tipus: Article

DOI: 10.1155/1998/26390 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor
Font de les dades: Scopus