Monte Carlo simulation of a submicron MOSFET including inversion layer quantization

  1. Roldan, J.B.
  2. Gamiz, F.
  3. Lopez-Villanueva, J.A.
  4. Carceller, J.E.
Zeitschrift:
VLSI Design

ISSN: 1065-514X

Datum der Publikation: 1998

Ausgabe: 6

Nummer: 1-4

Seiten: 287-290

Art: Artikel

DOI: 10.1155/1998/26390 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor
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