Semi-empirical model of electron mobility in MOSFETS in strong inversion regime

  1. Banqueri, J.
  2. Löpez-Villanueva, J.
  3. Gémiz, F.
  4. Palma, A.
  5. Carceller, J.E.
Revista:
IEE Proceedings: Circuits, Devices and Systems

ISSN: 1350-2409

Año de publicación: 1996

Volumen: 143

Número: 4

Páginas: 202-206

Tipo: Artículo

DOI: 10.1049/IP-CDS:19960337 GOOGLE SCHOLAR
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