An analytical expression for phonon-limited electron mobility in silicon-inversion layers

  1. Gámiz, F.
  2. Banqueri, J.
  3. Melchor, I.
  4. Carceller, J.E.
  5. Cartujo, P.
  6. López-Villanueva, J.A.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 1993

Volum: 74

Número: 5

Pàgines: 3289-3292

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.354550 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible