An analytical expression for phonon-limited electron mobility in silicon-inversion layers

  1. Gámiz, F.
  2. Banqueri, J.
  3. Melchor, I.
  4. Carceller, J.E.
  5. Cartujo, P.
  6. López-Villanueva, J.A.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1993

Ausgabe: 74

Nummer: 5

Seiten: 3289-3292

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.354550 GOOGLE SCHOLAR

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