Influence of the interface-state density on the electron mobility in silicon inversion layers

  1. Banqueri, J.
  2. Gámiz, F.
  3. Carceller, J.E.
  4. Cartujo, P.
  5. López-Villanueva, J.A.
Revista:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 0361-5235,  1543-186X

Año de publicación: 1993

Volumen: 22

Número: 9

Páginas: 1159-1163

Tipo: Artículo

DOI: 10.1007/BF02817689 GOOGLE SCHOLAR
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