Thermal emission rates and capture cross-section of majority carriers at titanium levels in silicon

  1. Morante, J.R.
  2. Carceller, J.E.
  3. Cartujo, P.
  4. Barbolla, J.
Revista:
Solid State Electronics

ISSN: 0038-1101

Ano de publicación: 1983

Volume: 26

Número: 1

Páxinas: 1-6

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/0038-1101(83)90153-3 GOOGLE SCHOLAR

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