Reliability study of thin-oxide zero-ionization, zero-swing FET 1T-DRAM memory cell

  1. Navarro, S.
  2. Navarro, C.
  3. Marquez, C.
  4. Salazar, N.
  5. Galy, P.
  6. Cristoloveanu, S.
  7. Gamiz, F.
Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 1558-0563,  0741-3106

Datum der Publikation: 2019

Ausgabe: 40

Nummer: 7

Seiten: 1084-1087

Art: Artikel

DOI: 10.1109/LED.2019.2915118 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus