Reliability study of thin-oxide zero-ionization, zero-swing FET 1T-DRAM memory cell
- Navarro, S.
- Navarro, C.
- Marquez, C.
- Salazar, N.
- Galy, P.
- Cristoloveanu, S.
- Gamiz, F.
ISSN: 1558-0563, 0741-3106
Argitalpen urtea: 2019
Alea: 40
Zenbakia: 7
Orrialdeak: 1084-1087
Mota: Artikulua