3-D TCAD Study of the implications of channel width and interface states on FD-SOI Z2-FETs

  1. Navarro, C.
  2. Navarro, S.
  3. Marquez, C.
  4. Padilla, J.L.
  5. Galy, P.
  6. Gamiz, F.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 1557-9646,  0018-9383

Datum der Publikation: 2019

Ausgabe: 66

Nummer: 6

Seiten: 2513-2519

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2019.2912457 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus