Experimental characterization of the random telegraph noise signature in MOSFETs under the Influence of Magnetic Fields

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Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Año de publicación: 2018

Volumen: 39

Número: 7

Páginas: 1054-1057

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/LED.2018.2835142 GOOGLE SCHOLAR