Analysis of the heterogate electron-hole bilayer tunneling field-effect transistor with partially doped channels: Effects on tunneling distance modulation and occupancy probabilities

  1. Padilla, J.L.
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Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2018

Volumen: 65

Número: 1

Páginas: 339-346

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2017.2777666 GOOGLE SCHOLAR
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