Impact of Asymmetric Configurations on the Heterogate Germanium Electron-Hole Bilayer Tunnel FET Including Quantum Confinement

  1. Padilla, J.L.
  2. Alper, C.
  3. Godoy, A.
  4. Gamiz, F.
  5. Ionescu, A.M.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2015

Ausgabe: 62

Nummer: 11

Seiten: 3560-3566

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2015.2476350 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus