Comment on 'Germanium electron-hole bilayer tunnel field-effect transistors with a symmetrically arranged double gate'
- Padilla, J.L.
- Alper, C.
- Gámiz, F.
- Ionescu, A.M.
ISSN: 1361-6641, 0268-1242
Año de publicación: 2015
Volumen: 30
Número: 12
Tipo: Revisión