Comment on 'Germanium electron-hole bilayer tunnel field-effect transistors with a symmetrically arranged double gate'

  1. Padilla, J.L.
  2. Alper, C.
  3. Gámiz, F.
  4. Ionescu, A.M.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Año de publicación: 2015

Volumen: 30

Número: 12

Tipo: Revisión

DOI: 10.1088/0268-1242/30/12/128001 GOOGLE SCHOLAR
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