In situ characterization of bias instability in bare SOI wafers by pseudo-MOSFET technique

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Revista:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability

ISSN: 1558-2574,  1530-4388

Año de publicación: 2014

Volumen: 14

Número: 3

Páginas: 878-883

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TDMR.2014.2332818 GOOGLE SCHOLAR
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