Influence of the back-gate bias on the electron mobility of trigate MOSFETs

  1. Ruiz, F.G.
  2. Marin, E.G.
  3. Tienda-Luna, I.M.
  4. Godoy, A.
  5. Martinez-Blanque, C.
  6. Gamiz, F.
Actas:
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD

ISBN: 9781467357364

Año de publicación: 2013

Páginas: 304-307

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/SISPAD.2013.6650635 GOOGLE SCHOLAR
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