Two-band k · p model for Si-(110) electron devices

  1. Donetti, L.
  2. Gámiz, F.
  3. Biel, B.
  4. Sampedro, C.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Ano de publicación: 2013

Volume: 114

Número: 7

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.4818617 GOOGLE SCHOLAR
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