Analytic potential and charge model for III-V surrounding gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

  1. Marin, E.G.
  2. Ruiz, F.G.
  3. Tienda-Luna, I.M.
  4. Godoy, A.
  5. Sánchez-Moreno, P.
  6. Gámiz, F.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2012

Ausgabe: 112

Nummer: 8

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.4759275 GOOGLE SCHOLAR

Ziele für nachhaltige Entwicklung

Datenquelle: Scopus